一种新型非易失性存储器的原理及应用:s10菠菜app

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【s10菠菜app】从目前具有低容量并行接口的非易失性存储市场来看,EEPROM、FRAM、SRAM BAKBAT方式等占据市场主流,其中EEPROM的供应商很多,其中ATMEL、ST等占据主导地位,FRAM仅在美国RAMTRON使用独特的技术。这几款产品的性能方面各有利弊,其中EEPROM的市场应用特别普遍,其缺点也是行人知道,加载速度慢,至少有10毫秒的写入等待时间,工作人数允许。FRAM铁电存储器的优点是工作速度快,必须超过标准SRAM速度,写入工作人员人数特别低,需要建立100亿次写入工作人员。但是,读取时间与标准SRAM有差异,几乎不兼容。

使用SRAM备份电池是传统的、旧的、不容易的存储方式。这种方式由于DALLSA的大力普及而获得了新生。这种方法的优点是芯片必须与标准SRAM几乎兼容,操作速度非常慢,德国ZMD开发了非易失性存储器nvSRAM,该存储器使用新的SRAM EEPROM方法构建需要电池备份的非易失性存储器。

芯片模块、时序等与标准SRAM几乎兼容。这样,用户无需更换DALLAS、HK等类似产品或更改电路,即可轻松地将原始电路的SRAM更换为ZMD的nvSRAM。

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ZMD的nvSRAM有两种操作员模式:SRAM模式和非易失性模式。在SRAM模式下,存储可以是普通静态RAM等操作员,SRAM可以无限制地读取,读写访问时间超过25ns,s10菠菜所有nvSRAM均以字节为单位配置。在非易失性模式下,数据将从SRAM保留为EEPROM (STORE操作员),或从EEPROM读取回SRAM (RECALL操作员)。

STORE和RECALL可以在1、系统通电或通电时自动启动STORE或RECALL操作员。2、通过软件序列或硬件信号,用户可以控制启动STORE或RECALL操作员。STORE和RECALL周期开始后禁止SRAM的进一步输入/输出,后续周期结束后,切片上的STORE和RECALL控制设备控制数据将在SRAM和EEPROM之间移动。随时可以在几毫秒内将SRAM中的数据保存到EEPROM中。

不允许在EEPROM中至少读取10万次,从EEPROM读取数据到SRAM的次数。nvSRAM允许在最后一个保留周期结束后至少保留45年以上的数据。当芯片改变或未来电压突然中断时。

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